一种晶圆硅穿孔互连工艺

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆硅穿孔互连工艺，可以在三维集成晶圆内部实现互连，从而无需通过额外的工艺制作再分布互连层，进而缩短了金属连线的长度，降低了电路延迟。

主权项

一种晶圆硅穿孔互连工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供一键合晶圆，所述键合晶圆设置有互不接触的第一金属层和第二金属层；刻蚀位于所述第一金属层和所述第二金属层之上的所述键合晶圆，以形成将所述第一金属层的部分表面和所述第二金属层的部分表面均予以暴露的互连硅穿孔；于所述互连硅穿孔中填充金属，以形成将所述第一金属层与所述第二金属层予以电连接的金属连线。