发明名称 磁共振成像装置以及SAR的预测方法
摘要 在将被检测体配置于MRI装置的状态下简单地求取RF照射线圈的Q值,并高精度地预测SAR。为此,在将被检测体(1)配置于摄像空间内的状态下,从照射线圈(14a)向被检测体(1)照射高频磁场脉冲,检测照射线圈(14a)的发送电压和反射电压。根据该发送电压和反射电压来求取配置有被检测体(1)的状态下的照射线圈的Q值。使用该Q值,预测对被检测体实施了摄像脉冲序列时的比吸收率(SAR)。
申请公布号 CN104736050A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201380054221.0 申请日期 2013.11.11
申请人 株式会社日立医疗器械 发明人 新井浩一;八尾武;佐藤良昭
分类号 A61B5/055(2006.01)I 主分类号 A61B5/055(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 张莉
主权项 一种磁共振成像装置,具有:静磁场产生部,向摄像空间施加静磁场;床,在所述摄像空间内配置被检测体;倾斜磁场线圈,向所述摄像空间施加倾斜磁场;照射线圈,向所述摄像空间照射高频磁场;接收线圈,接收所述摄像空间的所述被检测体产生的核磁共振信号;以及控制部,根据规定的摄像脉冲序列,控制来自所述倾斜磁场线圈的所述倾斜磁场的施加定时以及来自所述照射线圈的所述高频磁场的照射定时,该磁共振成像装置的特征在于,所述控制部具备:SAR预测部,使用所述照射线圈的Q值来预测对所述被检测体实施了所述摄像脉冲序列时的比吸收率、即SAR,所述SAR预测部在所述被检测体配置于所述摄像空间的状态下,从所述照射线圈向所述被检测体照射高频磁场脉冲,检测所述照射线圈的发送电压和反射电压,根据所述发送电压和所述反射电压来求取配置有所述被检测体的状态下的所述照射线圈的Q值,使用求取到的所述Q值来预测所述SAR。
地址 日本东京都千代田区外神田四丁目14番1号