| 发明名称 | 晶圆级芯片封装方法 | ||
| 摘要 | 一种晶圆级芯片封装方法，该封装方法包括：提供晶圆和基底，所述晶圆具有第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面具有导电结构；将所述晶圆的第一表面与所述基底粘结；沿所述晶圆的第二表面，在所述晶圆内形成沟槽；对所述晶圆和基底进行烘烤，所述烘烤的温度为第一温度；烘烤之后，在所述晶圆第二表面以及沟槽内形成低温氧化物层，形成所述低温氧化物层的温度为第二温度，所述第二温度小于第一温度。所述封装方法能够避免低温氧化物层从晶圆表面剥落的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104733328A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201310697678.5 | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何作鹏;赵洪波;向阳辉;吴秉寰;陈怡骏 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：提供晶圆和基底，所述晶圆具有第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面具有导电结构；将所述晶圆的第一表面与所述基底粘结；沿所述晶圆的第二表面，在所述晶圆内形成沟槽；对所述晶圆和基底进行烘烤，所述烘烤的温度为第一温度；烘烤之后，在所述晶圆第二表面以及沟槽内形成低温氧化物层，形成所述低温氧化物层的温度为第二温度，所述第二温度小于第一温度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||