半导体存储装置的位线预充电电压发生电路

摘要

本发明提供了半导体存储装置的位线预充电电压发生电路的各种实施例。在一个示例性实施例中，提供一种位线预充电电压发生电路，可以包括：分压块，对内部电压进行分压以产生第一分压和第二分压，其中，第二分压的电平高于第一分压的电平；上拉放大块，将第一分压的电平与位线预充电电压线上的位线预充电电压的电平进行比较，并使位线预充电电压的电平升高；和下拉放大块，将第二分压的电平与位线预充电电压的电平进行比较，并使位线预充电电压的电平降低。

主权项

一种半导体存储装置的位线预充电电压发生电路，包括：下拉比较信号发生块，被配置为将分压的电平与位线预充电电压的电平进行比较并产生下拉比较信号，其中，所述分压是通过对内部电压进行分压而产生的，并且与在非刷新操作期间相比，在刷新操作期间，所述下拉比较信号发生块使所述下拉比较信号的使能过渡时间减少得更多；和下拉控制块，被配置为当所述下拉比较信号被使能时，使所述位线预充电电压的电平降低，其中，与在所述非刷新操作期间相比，在所述刷新操作期间，所述下拉控制块使所述位线预充电电压的电平更快地降低；其中，所述下拉比较信号发生块包括：比较单元，被配置为将所述分压的电平与所述位线预充电电压的电平进行比较并产生所述下拉比较信号；和电流供给控制单元，被配置为与在所述非刷新操作期间相比，在所述刷新操作期间，向所述比较单元提供更大量的供电电流；其中，所述下拉控制块包括：下拉单元，被配置为在所述刷新操作期间和所述非刷新操作期间，当所述下拉比较信号被使能时，使所述位线预充电电压的电平降低；和可变下拉单元，被配置为在所述刷新操作期间，当所述下拉比较信号被使能时，使所述位线预充电电压的电平降低。