一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法

摘要

本发明提供一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法。该SiC衬底倒装激光器芯片制作包括一常规激光器芯片结构，从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层、电流阻挡层、金属欧姆接触层；包括一SiC衬底，衬底的底面镀有金属欧姆接触层，另一面镀有金属键合层；常规激光器芯片的金属欧姆接触层通过SiC衬底的金属键合层与SiC衬底键合在一起；常规激光器芯片去除原衬底后的缓冲层蒸镀有N电极金属层，制成的SiC衬底激光器N极在上、P极在下。与传统激光器相比，本发明的基于SiC衬底的倒装激光器芯片具有散热性好、稳定性好、寿命长等优点。

主权项

一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片的制作方法，步骤如下：（1）采用常规MOCVD工艺在GaAs衬底上生长红色激光器外延层，从下到上依次包括：GaAs缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、GaAs欧姆接触层；制备常规红色激光器芯片结构，包括厚度为300nm的SiO₂电流阻挡层、NiAu金属欧姆接触层；（2）将SiC衬底底面蒸镀NiAu欧姆接触层，另一面蒸镀TiAu金属键合层，厚度分别为2μm和1.5μm；（3）将步骤（1）制备的常规激光器芯片NiAu金属欧姆接触层与步骤（2）制得的TiAu金属键合层通过键合技术键合在一起；（4）通过湿法腐蚀去除激光器GaAs衬底，腐蚀液配比为双氧水、氨水和水的体积比为1：3：3，腐蚀干净后用去离子水清洗；然后在去除衬底的激光器芯片上蒸镀NiAu电极金属层，厚度为2μm，此NiAu电极金属层作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层作为激光器芯片的P电极，至此SiC衬底倒装激光器制备完成。