| 主权项 |
一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法，其特征在于包括步骤如下：(1)确定质子能量；(2)确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度；(3)确定器件敏感区的材料和厚度；所述器件敏感区的材料根据器件所采用的材料确定；所述器件敏感区的厚度根据下式确定：<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>d</mi><mo>=</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>+</mo><mfrac><msub><mi>μ</mi><mi>n</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mi>p</mi></msub></mfrac><mo>)</mo></mrow><msqrt><mfrac><mrow><mn>2</mn><mi>ϵ</mi></mrow><mi>q</mi></mfrac><mrow><mo>(</mo><mi>V</mi><mo>+</mo><msub><mi>V</mi><mi>b</mi></msub><mo>)</mo></mrow><mo>[</mo><mfrac><mn>1</mn><msub><mi>N</mi><mi>a</mi></msub></mfrac><mo>+</mo><mfrac><mn>1</mn><msub><mi>N</mi><mi>d</mi></msub></mfrac><mo>]</mo></msqrt></mrow>]]></math><img file="FDA0000690854300000011.GIF" wi="854" he="185" /></maths>其中，d为敏感区厚度；μ<sub>n</sub>为电子迁移率；μ<sub>p</sub>为空穴迁移率；ε为介电常数；q为元电荷电量；Na为受主掺杂浓度；Nd为施主掺杂浓度；V为外加电压；V<sub>b</sub>为内建电势，<img file="FDA0000690854300000012.GIF" wi="447" he="166" />其中k为波尔兹曼常数，T为温度，ni为本征载流子浓度；(4)分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱<img file="FDA0000690854300000013.GIF" wi="264" he="85" />(5)将敏感区中的能量沉积微分谱<img file="FDA0000690854300000014.GIF" wi="236" he="77" />转化为等效LET微分谱<img file="FDA0000690854300000015.GIF" wi="292" he="78" />转化公式为：<img file="FDA0000690854300000016.GIF" wi="428" he="150" />其中，<img file="FDA0000690854300000017.GIF" wi="237" he="78" />是质子在敏感区中的能量沉积微分谱；<img file="FDA0000690854300000018.GIF" wi="279" he="77" />是质子在敏感区中的等效LET微分谱；ρ是硅的密度；d是敏感区厚度；(6)以等效LET谱为输入，基于器件在重离子辐照下的Weibull曲线σ‑LET，计算器件在质子辐照下的翻转截面：通过下面的公式计算得到质子的翻转截面：<img file="FDA0000690854300000021.GIF" wi="780" he="191" />其中，σ<sub>p</sub>是器件质子翻转截面；σ<sub>i</sub>是器件重离子翻转截面Weibull曲线σ‑LET，包含4个参数器件饱和翻转截面σ<sub>sat</sub>、LET阈值Lth、宽度参数W、形状参数S；LET<sub>max</sub>表示LET取值的上限；LET<sub>min</sub>表示表示LET取值的下限。 |
