| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件，包括从半导体衬底主表面延伸到半导体衬底中的第一掺杂区。此外，半导体器件包括布置为与所述第一掺杂区相邻的第二掺杂区。所述第一掺杂区包括至少一个从半导体衬底主表面延伸到所述第二掺杂区的低掺杂剂量部分。所述第一掺杂区的低掺杂剂量部分内的掺杂剂量小于击穿电荷的3倍。此外，所述半导体器件包括与在所述半导体衬底主表面处的所述第一掺杂区接触的第一电极结构。在所述半导体衬底主表面处的所述第一电极结构的逸出功大于4.9eV或低于4.4eV。 | ||
| 申请公布号 | CN104733519A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410843424.4 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | F·D·普菲尔施;C·舍费尔;D·韦伯 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一掺杂区，从半导体衬底主表面延伸到半导体衬底中，其中所述第一掺杂区包括第一导电类型；第二掺杂区，布置为与所述第一掺杂区相邻，其中所述第二掺杂区包括第二导电类型，其中所述第一掺杂区包括至少一个从半导体衬底主表面延伸到所述第二掺杂区的低掺杂剂量部分，其中所述第一掺杂区的低掺杂剂量部分内的掺杂剂量小于击穿电荷的3倍；第一电极结构，与在所述半导体衬底主表面处的所述第一掺杂区接触，其中在所述半导体衬底主表面处的所述第一电极结构的逸出功大于4.9eV或低于4.4eV；以及第二电极结构，与所述第二掺杂区接触。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||