发明名称 |
一种硅基仿生微纳结构表面的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅基仿生微纳结构表面的制备方法。该方法是通过在HF乙醇溶液中电化学刻蚀的方法(而非光刻技术)在单晶硅表面上制备多孔硅仿生微纳结构的。所获得的多孔硅仿生微纳结构分布均匀、有序,微米结构尺寸在1-30um范围内可调。本发明成本较低,工艺简单、制备时间较短,对于硅基仿生微纳结构表面在生物芯片和微流体器件等方面都有应用前景。 |
申请公布号 |
CN104724663A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201310708220.5 |
申请日期 |
2013.12.20 |
申请人 |
中国科学院兰州化学物理研究所 |
发明人 |
王富国;张俊彦 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 62002 |
代理人 |
方晓佳 |
主权项 |
一种硅基仿生微纳结构表面的制备方法,其特征在于该方法步骤为:1)将硅片在丙酮中超声清洗后将其固定到一个方形的聚四氟乙烯电解槽的侧面孔中;2)在聚四氟乙烯电解槽中加入氢氟酸乙醇溶液,以硅片为阳极石墨为阴极在紫外光背光照射条件下进行电化学刻蚀;3)获得的多孔硅薄膜经过乙醇清洗、氮气吹干后获得多孔硅微纳结构。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号 |