半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半导体衬底表面形成有第一初始鳍部，所述第二区域半导体衬底表面形成有第二初始鳍部；形成横跨第一初始鳍部的第一伪栅、横跨第二初始鳍部的第二伪栅；形成覆盖所述半导体衬底、第一初始鳍部和第二初始鳍部的牺牲层；采用第一刻蚀工艺，去除所述第一伪栅形成第一凹槽，去除所述第二伪栅形成第二凹槽；采用第二刻蚀工艺，去除位于第二凹槽底部的部分厚度的第二初始鳍部，且形成具有第二高度的第二鳍部。本发明形成的半导体器件具有不同高度的鳍部，满足不同器件的需求。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半导体衬底表面形成有第一初始鳍部，所述第二区域半导体衬底表面形成有第二初始鳍部，且所述第一初始鳍部和第二初始鳍部均具有第一高度；形成横跨第一初始鳍部的第一伪栅、横跨第二初始鳍部的第二伪栅；形成覆盖所述半导体衬底、第一初始鳍部和第二初始鳍部的牺牲层；采用第一刻蚀工艺，去除所述第一伪栅形成第一凹槽，去除所述第二伪栅形成第二凹槽；采用第二刻蚀工艺，去除位于第二凹槽底部的部分厚度的第二初始鳍部，形成第三凹槽，且形成具有第二高度的第二鳍部；形成位于第一初始鳍部表面、且位于第一凹槽内的第一栅极结构，形成位于第二鳍部表面、且位于第三凹槽内的第二栅极结构。