发明名称 铁氧体基板FePt永磁薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及磁性薄膜材料的制备工艺领域,特别涉及一种铁氧体基板FePt永磁薄膜的制备方法,包括如下步骤:(A)将基片放入盛有去离子水的结晶皿中,用超声波清洗机清洗,再将基片放入盛有去离子水的陶瓷坩埚中,在可调功率设备上加热至去离子水沸腾,最后用竹镊子将基片放于红外灯下烘烤;(B)用N2气枪吹N2气洁净基片,用镊子把基片放置在基片托上;给预真空室充气;给预真空室排气。本发明的有益效果是:磁控溅射沉积速率适中;所获薄膜与基片的结合力较好;薄膜的致密度高;膜层厚度可控。
申请公布号 CN104733179A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201510071396.3 申请日期 2015.02.11
申请人 西南应用磁学研究所 发明人 郭韦;倪经;黄豹;邹延珂
分类号 H01F41/14(2006.01)I;H01F10/14(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 主分类号 H01F41/14(2006.01)I
代理机构 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人 胡吉科
主权项 一种铁氧体基板FePt永磁薄膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:(A)将基片放入盛有去离子水的结晶皿中,用超声波清洗机清洗,再将基片放入盛有去离子水的陶瓷坩埚中,在可调功率设备上加热至去离子水沸腾,最后用竹镊子将基片放于红外灯下烘烤;(B)用N2气枪吹N2气洁净基片,用镊子把基片放置在基片托上;给预真空室充气;给预真空室排气;(C)将基片由预真空室传入至成膜室;(D)等待成膜室的压强达到要求时,制备薄膜;(E)将基片由成膜室传出至预真空室,给预真空室充气,取出基片;(F)用N2气清洁基片,放入坩埚,在退火炉中进行高温退火处理,退火的同时在垂直膜面方向施加强磁场;(G)取片。
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