薄膜晶体管及使用薄膜晶体管的显示装置

摘要

本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。

主权项

一种将氧化物半导体层用于沟道层的底栅·沟道蚀刻型的薄膜晶体管，其特征在于，具有：衬底；形成在所述衬底上的栅极电极布线；形成在所述栅极电极布线上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的成为沟道层的氧化物半导体层；延伸至所述氧化物半导体层的一端上部而形成的源极电极布线与所述源极电极布线的加工用的第一硬掩模层的层叠膜；延伸至所述氧化物半导体层的另一端上部而形成的漏极电极布线与所述漏极电极布线的加工用的第二硬掩模层的层叠膜；以及覆盖所述第一硬掩模层的上表面、所述源极电极布线的侧面、所述氧化物半导体层的上表面、所述第二硬掩模层的上表面和所述漏极电极布线的侧面而形成的保护绝缘膜。