| 发明名称 | 蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种蚀刻液，其对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。 | ||
| 申请公布号 | CN104737277A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201380054473.3 | 申请日期 | 2013.10.11 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 上村哲也;朴起永;室祐継;稲叶正 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 陶敏;臧建明 |
| 主权项 | 一种蚀刻液，其对具有包含氮化钛(TiN)的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去所述第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。 | ||
| 地址 | 日本东京港区西麻布二丁目26番30号 | ||