发明名称 层叠构造体、薄膜晶体管阵列以及它们的制造方法
摘要 层叠构造体在绝缘基板上具有第1电极层,在第1电极层上具有第1绝缘膜,在第1绝缘膜上具有第2电极层,在第2电极层上具有第2绝缘膜,在第2绝缘膜上具有第3电极层,该层叠构造体具有对第1电极层和第2电极层进行连接的部分,该部分是第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造,在第2绝缘膜的开口内,第3电极层对第1电极层、与第1绝缘膜上的第2电极层的连接进行中继或加强。
申请公布号 CN104737284A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201380050481.0 申请日期 2013.08.29
申请人 凸版印刷株式会社 发明人 石崎守;八田薰
分类号 H01L21/768(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种层叠构造体,其在绝缘基板上具有第1电极层,在第1电极层上具有第1绝缘膜,在第1绝缘膜上具有第2电极层,在第2电极层上具有第2绝缘膜,在第2绝缘膜上具有第3电极层,该层叠构造体的特征在于,具有对第1电极层和第2电极层进行连接的部分,该部分是第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造,在第2绝缘膜的开口内,第3电极层对第1电极层、与第1绝缘膜上的第2电极层的连接进行中继或加强。
地址 日本东京