低发散角单纵模边发射光子晶体激光器

摘要

一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。

主权项

一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：一衬底；一N型电极，其制作在衬底的背面；一N型光子晶体波导，其制作在衬底的上面，用于形成电流注入通道和纵向光场扩展，该N型光子晶体波导由多个周期组分渐变或突变高低折射率材料交替分布一维光子晶体构成；一N型下波导层，其制作在N型光子晶体波导的上面；一有源区，其制作在N型下波导层的上面，提供光增益；一P型上波导层，其制作在有源区的上面，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；一P型上限制层，其制作在P型上波导层的上面，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；一P型欧姆接触层，其制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，用于形成欧姆接触；一绝缘层，其制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为光子晶体选模区。