发明名称 制造基于磁电阻的器件的方法
摘要 一种制造基于磁电阻的器件的方法,该基于磁电阻的器件具有在第一导电层与第二导电层之间形成的磁性材料层,该磁性材料层包括在第一磁性材料层与第二磁性材料层之间形成的隧道势垒层,该方法包括去除不受第一硬掩模保护的第一磁性材料层和第一导电层以分别形成第一电极和第一磁性材料;以及去除不受第二硬掩模保护的第二导电层、第二磁性材料层和隧道势垒层以形成隧道势垒、第二磁性材料和第二电极。
申请公布号 CN104737317A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201380052001.4 申请日期 2013.08.14
申请人 艾沃思宾技术公司 发明人 S·A·德什庞德;S·阿加瓦尔
分类号 H01L41/20(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I 主分类号 H01L41/20(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 刘倜
主权项 一种制造基于磁电阻的器件的方法,所述基于磁电阻的器件具有在第一导电层之上形成的磁性材料层,所述磁性材料层包括在第一磁性材料层与第二磁性材料层之间形成的隧道势垒层,所述方法包括:在所述第二磁性材料层之上图案化第一硬掩模;去除不受所述第一硬掩模保护的所述第二磁性材料层以形成第二磁性材料;在所述隧道势垒层、所述第一硬掩模和所述第二磁性材料的侧面之上图案化第二硬掩模;以及去除不受所述第二硬掩模保护的所述第一磁性材料层和所述隧道势垒层以形成第一磁性材料和隧道势垒。
地址 美国亚利桑那