| 发明名称 | 传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成在基板上的电化学传感器，该电化学传感器包括：场效应晶体管，集成在基板上并具有源极、栅极和漏极连接，所述场效应晶体管的栅极包括导电耦合到感应电极的感应栅极、和偏置栅极，其中感应栅极电容性耦合到偏置栅极，并且偏置栅极电容性耦合到基板。 | ||
| 申请公布号 | CN102778491B | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201210138964.3 | 申请日期 | 2012.05.07 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 阿克塞尔·纳克尔特斯;马蒂亚斯·梅兹;尤里·维克多诺维奇·波诺马廖夫 |
| 分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种集成在基板(14)上的电化学传感器(10)，该电化学传感器(10)包括：集成在基板(14)上的场效应晶体管(12)，具有源极(S)连接、栅极(G)连接和漏极(D)连接，所述场效应晶体管(12)的栅极(G)包括：导电耦合到感应电极(16)的感应栅极(18)、以及偏置栅极(20)，其中感应栅极(18)电容性耦合到偏置栅极(20)，以及偏置栅极(20)电容性耦合到基板(14)；感应栅极(18)经由第一控制开关(R1)连接到第一偏置电压(B1)，偏置栅极(20)经由第二控制开关(R2)连接到第二偏置电压(B2)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||