薄膜晶体管存储器和具备该存储器的显示装置

摘要

将驱动用TFT的沟道区域的面积C1和存储用TFT的沟道区域的面积C2，在具有与各自的功能相应的规定的迟滞性的范围内，设定为C1＜C2的关系。

主权项

一种薄膜晶体管存储器，其特征在于：所述薄膜晶体管存储器在绝缘性基板上设置有驱动用薄膜晶体管和存储用薄膜晶体管，所述驱动用薄膜晶体管和存储用薄膜晶体管分别包括：栅极电极；隔着具有电荷存储功能的共用的栅极绝缘膜与该栅极电极重叠的半导体层；和相互分离地与该半导体层连接的源极电极和漏极电极，在所述半导体层中的与源极电极导通的导通部位和与漏极电极导通的导通部位之间形成有沟道区域，所述驱动用薄膜晶体管的沟道区域的面积C1和所述存储用薄膜晶体管的沟道区域的面积C2，在具有与各自的功能相应的规定的迟滞性的范围内，被设定为C1＜C2的关系。