功率用半导体装置

摘要

在高速开关的功率用半导体装置中，在开关时流过移位电流，从而与其流路的电阻相互作用而产生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜有时被绝缘破坏，而半导体装置被破坏。在本发明的半导体装置中，将在功率用半导体装置的外周部配置的p型的阱区域分离为内侧和外侧这2个，在外侧的阱区域上，直至该阱区域的内周的内侧，设置膜厚大于栅极绝缘膜的场氧化膜，所以能够防止由于在开关时流过移位电流所致的电压而使栅极绝缘膜绝缘破坏。

主权项

一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板的第1主面侧；具有多个组件单元的单元区域，形成于所述漂移层的表层的一部分；第2导电类型的第2阱区域，在所述单元区域的周围，与所述单元区域隔离地形成；栅极绝缘膜，形成于所述单元区域上、和所述第2阱区域上的至少所述单元区域侧；第2导电类型的第3阱区域，在所述第2阱区域的外侧与所述第2阱区域隔离地形成，且面积大于所述第2阱区域；场氧化膜，形成在所述第3阱区域上，且膜厚大于所述栅极绝缘膜；栅电极，形成于所述场氧化膜上以及所述栅极绝缘膜上；贯通所述单元区域上的所述栅极绝缘膜而形成的源极接触孔；贯通所述第2阱区域上的所述栅极绝缘膜而形成的第1阱接触孔；贯通所述第3阱区域上的所述场氧化膜而形成的第2阱接触孔；源极焊盘，经由所述源极接触孔、所述第1阱接触孔以及所述第2阱接触孔，将所述单元区域、所述第2阱区域以及所述第3阱区域电连接；以及漏电极，设置于所述半导体基板的与所述第1主面相反的第2主面侧，所述栅极绝缘膜与所述场氧化膜的边界处于所述第2阱区域的上部、或处于所述第2阱区域与所述第3阱区域之间的上部。