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<p>Planta piloto para produção de módulos fotovoltaicos com tecnologia nacional. A presente invenção proporciona um processo de limpeza química superficial para lâminas de silício cristalino texturadas adaptado a partir de um processo de limpeza química padrão chamado rca. No processo da invenção, a limpeza química compreende um ataque isotrópico em cp4, seguida da imersão das lâminas de silício na solução rca-2. O ataque planar aumenta o gettering química e não alter a estrutura das micropirâmides, pois o tempo de imersão é controlado e curto, preferecialmente apenas 10 segundos. Dentre outras vantagens técnicas, o processo da invenção proporciona aumento de ao menos 175% no tempo de vida dos portadores minoritários e redução no tempo de processamento de aproximadamente 9 minutos.</p> |
