薄膜电晶体及其制造方法

主权项

一种薄膜电晶体的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的基板上形成闸极电极；在该闸极电极上形成闸极绝缘层，该闸极绝缘层包括氮化矽；将该闸极绝缘层暴露于包含氮的气体所产生的电浆；使用包含半导体材料气体及含氮气体的混合气体在该闸极绝缘层上形成半导体层，其中该含氮气体的浓度随着该半导体层的形成的进行而下降，使得被供应之氮的量逐渐下降；在该半导体层上形成源区及汲区，其中该源区及汲区包含半导体及对该半导体赋予一导电型的杂质；以及在该源区及汲区上分别形成源极电极及汲极电极。