| 主权项 |
一种形成含矽膜的方法，其包括：a)在反应室中提供基板；b)将至少一种含矽化合物注入该反应室中，其中该含矽化合物系选自由下列所构成的群组：1)选自由二乙基胺基矽烷SiH3NEt2；二异丙基胺基矽烷SiH3N(iPr)2；二第三丁基胺基矽烷SiH3N(tBu)2；双(二乙基胺基)矽烷(BDEAS)SiH2(NEt2)2；双(二甲基胺基)矽烷(BDMAS)SiH2(NMe2)2；双(第三丁基胺基)矽烷(BTBAS)SiH2(NHtBu)2；双(三甲基矽烷基胺基)矽烷(BITS)SiH2(NHSiMe3)2所构成的群组之胺基矽烷化合物；2)具有式(SiH3)2NR的二矽烷基胺化合物，其中R独立地为H、C1-C6之直链、支链或环状碳链；及3)具有式(SiH3)nR的矽烷化合物，其中n被包括在介于1与4之间，R则选自由H、N、NH、O、SO3CF3、CH2、C2H4、SiH2、SiH以及Si所构成的群组中；c)将至少一种呈气态形式的共反应物注入该反应室中；以及d)使基板、含矽化合物及呈气态形式的共反应物在等于或低于550℃之温度下反应，以获得沉积在该
基板上的含矽膜，其中该膜系藉由原子层沉积(ALD)或电浆辅助原子层沈积(PEALD)型式程序沉积。 |
