发光元件及半导体基板的制作方法

主权项

一种发光元件，包含：基板，由下列者构成：β-Ga2O3单结晶基板；及表面层，对该β-Ga2O3单结晶基板的表面施以氮化处理，以氮原子取代氧原子之一部或全部；以及双异质型发光层，形成于该基板上；且该双异质型发光层包含：掺杂矽的GaN层，形成于该基板上；无掺杂的InGaN层，形成于该掺杂矽的GaN层上；以及掺杂镁的GaN层或是掺杂镁的AlGaN层，形成于该无掺杂的InGaN层上。