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一种用于制备绝缘终端半导体装置的方法，包括：步骤a：在半导体衬底上，使用沟槽遮罩；步骤b：通过沟槽遮罩，刻蚀半导体衬底，形成第一沟槽TR1、第二沟槽TR2和第三沟槽TR3，宽度分别为W1、W2和W3，其中第三沟槽TR3是最窄的沟槽，其中第一沟槽TR1包围着第三沟槽TR3；步骤c：在第三沟槽TR3中制备导电材料，以构成闸极电极，在第二沟槽TR2中制备导电材料，以构成闸极滑道；步骤d：用绝缘材料填充第一沟槽TR1，以构成包围着闸极电极的绝缘隔绝沟槽；步骤e：在整个衬底顶部，制备一个本体层；步骤f：在整个本体层顶部，制备一个源极层；步骤g：在半导体衬底上方，应用一个绝缘层；步骤h：在绝缘层上方，应用一个接触遮罩；步骤i：穿过绝缘层，形成到源极层和到闸极滑道的接触开口；并且步骤j：在绝缘层上，形成源极和闸极金属区，分别与源极和闸极滑道接头电接触；其中，被绝缘隔绝沟槽包围着的区域内部的源极和本体层，处于源极电势。 |
