| 主权项 |
一种记忆体装置，包含：一阵列的位元格，各个位元格具有两单元，包含单一抗熔丝单元，用以储存位元格状态；及单一存取单元，用以提供对抗熔丝单元的存取，用于位元格的规划及读出；功率选择电路，用以将该阵列的闸极线偏压至用以位元格规划之第一电压位准，及偏压至用以位元格读出之第二电压位准，该闸极线连接该等抗熔丝单元的至少一个；及感应电路，用以感应在读出期间的位元格状态，并包含分压器，可操作地耦接至传输闸极，该传输闸极串联耦接至偏斜反相器，其中在读出期间，来自该分压器的分压信号系经由该传输闸极传送至该偏斜反相器并在该反相器的输出提供高或低值。
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