发明名称 相容无色M1绕线之双重图案化
摘要
申请公布号 TWI489302 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW102116321 申请日期 2013.05.08
申请人 格罗方德半导体公司 发明人 袁磊;桂 宗郁;拉汉德 马布;王青磊
分类号 G06F17/50;H01L27/04 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种用于制造电路的方法,系包含决定邻接积体电路(IC)中之第一与第二单元的边界;决定面向该第二单元中之第二边脚之侧的该第一单元中之第一边脚之侧;决定该第一边脚之该侧之至少一部份的第一垂直区段和该第二边脚之该侧之至少一部份的第二垂直区段;指定介于该第一垂直区段与该边界之间的区域作为绕线区的第一部份;指定介于该第二垂直区段与该边界之间的区域作为该绕线区的第二部份;以及其中,该绕线区中的绕线系指定为可分解。
地址 美国