发明名称 发光二极体之制造方法及切断方法
摘要
申请公布号 TWI489651 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW100123969 申请日期 2011.07.07
申请人 丰田合成股份有限公司 发明人 松村笃
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;黄政诚 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种发光二极体之制造方法,其系将雷射照射于晶圆而制造晶片状的发光二极体之方法,特征在于具有:制作晶圆之步骤,该晶圆系具备由复数个金属层形成之金属基板以及包含形成于该金属基板上之发光层的化合物半导体层;利用蚀刻除去前述化合物半导体层之切断预定线上的部分之步骤;利用蚀刻除去前述复数个金属层之中雷射照射面侧的相反侧之至少一层的前述切断预定线上的部分之步骤;以及沿着俯视为前述金属层之前述已除去的部分照射雷射而切断前述金属基板之步骤。
地址 日本