| 发明名称 |
用于降低奈米布线电晶体中的寄生电阻之接触技术及配置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI489631 |
申请公布日期 |
2015.06.21 |
| 申请号 |
TW101145428 |
申请日期 |
2012.12.04 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
皮拉瑞斯提 拉维;朱功 班杰明;瑞奇曼第 威利;雷 凡;狄威 吉伯特;穆可吉 尼洛依;梅兹 马修;陈汉威;拉多撒福杰维克 马可 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种积体电路装置，包括：半导体基底；隔离层，形成于该半导体基底上；通道层，包含形成于该隔离层上的奈米布线材料以提供用于电晶体的通道；及接点，与该通道层耦合，该接点配置成在至少一平面维度上围绕该通道层的奈米布线材料以及提供用于该电晶体的源极端或汲极端。
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| 地址 |
美国 |
