发明名称 太阳能电池的制造方法
摘要
申请公布号 TWI489646 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW101128542 申请日期 2012.08.08
申请人 J E T 股份有限公司 发明人 熊谷晃
分类号 H01L31/18;H01L31/042 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种太阳能电池的制造方法,在藉由使用金属离子蚀刻而在矽基板的表面上形成多孔质层,其特征在于包括:将前述矽基板浸渍于含有氟化氢酸之第1水溶液,除去前述矽基板表面之自然氧化膜之步骤;在前述含有金属离子而不含有氧化剂和氟化氢酸之第2水溶液中,浸渍除去了前述自然氧化膜之前述矽基板,藉由无电解电镀而使前述金属离子附着于前述矽基板之步骤;及在含有氟化氢酸与过氧化氢水之第3水溶液中,浸渍使前述金属离子附着之前述矽基板,藉由前述金属离子之触媒反应而在矽基板表面形成多孔质层之步骤,在将前述金属离子附着于前述矽基板表面之步骤中,测定前述金属离子浓度,而将该金属离子浓度控制在一定。
地址 日本