发明名称 记忆体写入操作方法与电路
摘要
申请公布号 TWI489484 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW100121795 申请日期 2011.06.22
申请人 英特尔公司 发明人 库卡尼 杰迪普P;凯拉 穆罕默德M;葛斯肯斯 比比奇M;雷邱德瑞 亚里吉特;卡尼克 唐艾;德 维威克K
分类号 G11C7/22;G11C7/12 主分类号 G11C7/22
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种记忆体装置,其包含:在一字组线上的数个记忆体胞元;以及耦合至该字组线的一驱动器电路,用以将该字组线耦合至一接地参考电位以供用于一解除主张状态、并用以启始性地将该字组线耦合至一供电参考电位且接着使该字组线浮动来电容性地提升该字组线以供用于一写入操作,其中,该驱动器电路包含耦合至该字组线的一P型电晶体和一N型电晶体,其中,该P型电晶体可受操作来在另一状态中将该字组线耦合至该供电参考电位,其中,该N型电晶体可受操作来在该解除主张状态中将该字组线耦合至该接地参考电位,其中,该P型电晶体和该N型电晶体可受操作来使该字组线浮动,其中,该P型电晶体和该N型电晶体具有透过一开关而可控制性地耦合至彼此的输入,用以致使该字组线处于一浮动状态,并且其中,该开关是由N型和P型电晶体所形成的一个传输闸。
地址 美国