| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一半导体层，包含一通道形成区及一杂质区；一闸极电极，在该通道形成区之上，该闸极电极和该通道形成区之间插入有一闸极绝缘膜；一矽化物层，覆盖该杂质区及该半导体层之一侧表面，且与该杂质区及该半导体层之该侧表面接触；一上方电极，覆盖该矽化物层；一层间绝缘膜，覆盖该半导体层、该闸极绝缘膜、该闸极电极及该上方电极；一接触孔，穿过该层间绝缘膜；以及一导线，在该层间绝缘膜之上；其中该闸极电极与该层间绝缘膜接触，其中该接触孔与堆叠该杂质区、该矽化物层及该上方电极之一区域重叠；且其中该导线与该上方电极接触于该接触孔之中。
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