| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI489629 | 申请公布日期 | 2015.06.21 |
| 申请号 | TW099133694 | 申请日期 | 2010.10.04 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 廖晋毅;李静宜;詹书俨 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，包含：提供一基材；形成复数个凹穴，其位于该基材中；提供一前驱混合物以于该些凹穴之内表面上形成一非掺杂磊晶层，该前驱混合物包含一矽前驱物、一磊晶材料前驱物与卤化氢，其中该矽前驱物与该磊晶材料前驱物流量之比值大于1.7；以及形成一掺杂磊晶层而实质上填满该凹穴，该掺杂磊晶层包含矽、该磊晶材料与一掺质。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||