发明名称 | 反及闸快闪记忆体之热载子程式化 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI489593 | 申请公布日期 | 2015.06.21 |
申请号 | TW100114082 | 申请日期 | 2011.04.22 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 古绍泓;杨怡箴 |
分类号 | H01L21/8247;H01L27/115 | 主分类号 | H01L21/8247 |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 台北市内湖区民权东路6段109号2楼之1 | |
主权项 | 一种记忆体,包含:复数个记忆胞串联安排于一半导体主体中;复数条字元线,该复数条字元线中的每一条字元线与该复数个记忆胞中对应的记忆胞耦接;以及控制电路,与该复数条字元线耦接,该控制电路适用于藉由下列步骤程式化该复数个记忆胞中与一选取字元线对应的一选取记忆胞:偏压该复数个记忆胞的一串列选择线至一设定电压;降低施加至该复数个记忆胞的该第一及第二端之该一者的电压阶级自该设定电压至一位元线程式化电压;施加一导通电压至与未选取记忆胞所对应的字元线;以及施加一程式化电压至与该选取记忆胞所对应的该选取字元线;其中,该位元线程式化电压大于该串列选择线的一临界电压,该程式化电压大于该导通电压。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |