| 主权项 |
一种薄膜电晶体，包含：基材；闸极电极，设置在一部分的该基材上；第一绝缘膜，覆盖该闸极电极；氧化物半导体膜，经由该第一绝缘膜设置在该闸极电极上；第二绝缘膜，设置在一部分的该氧化物半导体膜上；以及源极电极及汲极电极，将该源极电极连接至该氧化物半导体膜的第一部位，该第一部位未以该第二绝缘膜覆盖，将该汲极电极连接至该氧化物半导体膜的第二部位，该第二部位未以该第二绝缘膜覆盖，该氧化物半导体膜包括氧化物半导体，该氧化物半导体包括In、Ga、以及Zn之至少一元素，且包含在该第一绝缘膜中的氢浓度不少于5×1020atm/cm3，且包含在该第二绝缘膜中的氢浓度不多于1019atm/cm3。 |
