发明名称 透明导电性薄膜之制造方法
摘要
申请公布号 TWI488751 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW100123966 申请日期 2011.07.06
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 山崎由佳;梨木智刚;菅原英男
分类号 B32B9/00;C23C14/08;C23C14/58;H01B13/00 主分类号 B32B9/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种透明导电性薄膜之制造方法,其系制造于长条状透明薄膜基材上形成有结晶质铟系复合氧化物膜之长条状透明导电性薄膜的方法,其包括:非晶质积层体形成步骤,其系藉由溅镀法于上述长条状透明薄膜基材上形成含有铟与四价金属之铟系复合氧化物之非晶质膜;及结晶化步骤,其系将上述形成有非晶质膜之长条状透明薄膜基材连续地搬送至加热炉内,使上述非晶质膜结晶化;上述铟系复合氧化物相对于铟与四价金属之合计100重量份而含有超过0重量份且为15重量份以下之四价金属;并且上述结晶化步骤中,对加热炉内之长条状透明薄膜基材所赋予之搬送方向之应力为1.1MPa~13MPa。
地址 日本