发明名称 半导体装置以及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI489618 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW099126298 申请日期 2010.08.06
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 木村肇;坂田淳一郎;丰高耕平
分类号 H01L27/088;H01L27/12 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包括:包括第一薄膜电晶体的像素部;以及包括第二薄膜电晶体的驱动电路部,其中,该像素部和该驱动电路部设置在基板上,其中,在该基板上该第一薄膜电晶体包括:第一源极电极层,第一汲极电极层,与该第一源极电极层及该第一汲极电极层电连接地设置的氧化物半导体层,覆盖该氧化物半导体层地设置的闸极绝缘层,在该闸极绝缘层的一区域上的第一闸极电极层,该闸极绝缘层的该区域与该氧化物半导体层重叠,覆盖该第一闸极电极层地设置的保护绝缘层,以及该保护绝缘层上的像素电极层,其中,该第一薄膜电晶体的该第一源极电极层、该第一汲极电极层、该氧化物半导体层、该闸极绝缘层、该第一闸极电极层、该保护绝缘层以及该像素电极层具有透光性,其中,该第二薄膜电晶体的第二闸极电极层由该保护绝缘层覆盖,并且其中,该第二薄膜电晶体的第二源极电极层、第二汲极电极层以及该第二闸极电极层的材料与该第一薄膜电晶 体的该第一源极电极层、该第一汲极电极层以及该第一闸极电极层的材料不同,并且该第二薄膜电晶体的该第二源极电极层、该第二汲极电极层以及该第二闸极电极层的材料是其电阻低于该第一薄膜电晶体的该第一源极电极层、该第一汲极电极层及该第一闸极电极层的电阻的导电材料。
地址 日本