发明名称 电子零件之制造方法及电极构造
摘要
申请公布号 TWI489531 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW102102652 申请日期 2013.01.24
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 松尾明;渋谷阳介;北野尙武;森本栄太郎;山崎公司;佐藤雄;清野拓哉
分类号 H01L21/28;H01L29/78 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电子零件之制造方法,其特征为,具备有:第1工程,系在被形成于被处理体处之开口径为15nm以下的凹部内,而形成第1电极构成层;和第2工程,系将前述第1电极构成层之表面氮化而形成氮化层;和第3工程,系在前述氮化层之上而形成第2电极构成层,前述第1工程,系一面藉由磁石单元来在靶材表面上形成磁场一面藉由溅镀法来成膜前述第1电极构成层,该磁石单元,系将复数之磁铁配置在多角形格子之格子点的位置处,并且以使邻接之该磁铁相互成为相异之极性的方式来作配置,前述第2工程,系一面藉由磁石单元来在靶材表面上形成磁场一面将前述第1电极构成层之表面氮化而形成前述氮化层,前述第3工程,系一面藉由磁石单元来在靶材表面上形成磁场一面藉由溅镀法来成膜前述第2电极构成层。
地址 日本
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