记忆体写入错误修正电路,申请号TW100141729-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	记忆体写入错误修正电路
摘要
申请公布号	TWI489472	申请公布日期	2015.06.21
申请号	TW100141729	申请日期	2011.11.16
申请人	格林迪司股份有限公司	发明人	欧格　艾德瑞Ｅ;尼丁基　费拉德米尔
分类号	G11C29/00	主分类号	G11C29/00
代理机构		代理人	詹铭文台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项	一种记忆体电路，包括：比较区块，用于比较适于储存在记忆体单元内的第一资料与先前储存在所述记忆体单元内的第二资料，所述比较区块进一步用于储存所述记忆体单元的位址，若所述第二资料不符合所述第一资料，则所述第二资料储存于所述记忆体单元的所述位址，在所述第二资料不符合所述第一资料后，所述记忆体单元在后续写入循环期间被写入。
地址	美国

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