发明名称 太阳电池及其制造方法、太阳电池模组
摘要
申请公布号 TWI489640 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW100131890 申请日期 2011.09.05
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 西本阳一郎
分类号 H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种太阳电池,其具备有:第1导电型之半导体基板,形成有贯穿孔;第2导电型之不纯物扩散层,设置在前述半导体基板之一面侧;受光面电极,在前述半导体基板之一面侧设置成与前述不纯物扩散层电性连接;导出电极,设置成经由前述贯穿孔导出至前述半导体基板之另一面侧而与前述受光面电极电性连接;以及背面电极,在前述半导体基板之另一面侧与前述半导体基板电性连接并且与前述导出电极电性绝缘;前述导出电极系藉由形成在前述贯穿孔之周边部的隔离沟而与前述背面电极进行绝缘;其中,前述导出电极系具有包括插入在前述贯穿孔之内部之由金属构件而成的突起部、及与前述突起部电性连接的平坦部,且前述平坦部之一面侧抵接前述半导体基板之另一面侧而配置;前述突起部系在前述平坦部之一面上隔以预定之间隔形成复数个,且具有减缓作用在前述突起部间之应力之应力减缓构造;前述金属构件系包括一对之凸形构件及凹形构件而构成,前述凸形构件与前述凹形构件系经由前述贯穿孔 而连接并挟持前述半导体基板,藉此固定前述金属构件与前述半导体基板。
地址 日本
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