| 摘要 |
<p>본 발명은 새로운 유형의 자기전기 센서(magnetoelectric sensor)에 관한 것으로, 자기전기 센서는 박막 기술의 알려진 방법들에 의해 생산될 수 있고, 미리 결정된 자기장에 대한 알려진 벤딩 빔 센서(bending beam sensor)보다 수배 더 높은 ME 전압을 출력한다. 분리-층 ME 센서로 지칭되는 구성은, 강유전성 페이즈(ferroelectric phase)(10)와 자기변형 페이즈(magnetostrictive phase)(12) 사이의 두꺼운 유전체층(14)의 어레인지먼트, 및 강유전성 재료(10)의 일 측에 적용되고 층 범위를 따라 ME 전압을 탭핑(tap)하도록 설계되는 전극 어셈블리(18)를 특징으로 한다. 유리하게, 구성은, 전방측 및 후방측 각각 상에서 기능층들(10, 12) 중 하나를 이용하여 종래의 유전체 기판들(14)을 코팅함으로써 용이하게 생산될 수 있다.</p> |
