| 摘要 |
<p>본 발명은 절연체-위-실리콘 SOI 타입의 기판(1)에 대한 마감 방법에 관한 것이다. 상기 기판(1)은 활성 실리콘층(4)과 실리콘으로 된 지지층(2) 사이에 매립된 산화물층(3)을 포함한다. 상기 마감 방법은 a) 상기 기판(1)의 급속 열 어닐링(RTA) 단계, b) 상기 기판의 활성층(4)의 희생 산화 단계, c) 단계 (b)로부터 얻어진 상기 기판을 급속 열 어닐링(RTA)하는 단계, d) 단계 (c)를 거친 기판(1')의 상기 활성층(4')의 희생 산화 단계의 연속 단계들인 마감 단계들의 적용을 포함한다. 본 방법은 상기 희생 산화 단계 b)가 제 1 산화물 두께(5)를 제거하도록 수행되고, 상기 희생 산화 단계 d)가 제 1 산화물 두께(5)보다 얇은 제 2 산화물 두께(6)를 제거하도록 수행되는 특징이 있다.</p> |
