PHOTOVOLTAIC DEVICES INCORPORATING THIN CHALCOGENIDE FILM ELECTRICALLY INTERPOSED BETWEEN PNICTIDE-CONTAINING ABSORBER LAYER AND EMITTER LAYER

摘要

본 발명은 절연층이 하나 이상의 프닉타이드-함유 필름과 접속되어 있는, MIS 및 SIS 장치의 절연층의 품질을 개선시키기 위한 전략을 제공한다. 본 발명의 개념은 i-ZnS와 같은 칼코게나이드를 포함하는 매우 얇은 (20 nm 이하) 절연 필름이, 놀랍게도 프닉타이드 반도체를 포함하는 MIS 및 SIS 장치의 우수한 터널 배리어라는 발견에 적어도 부분적으로 기초한다. 하나의 실시양태에서, 본 발명은 하나 이상의 프닉타이드 반도체; 하나 이상의 칼코게나이드를 포함하고 0.5 nm 내지 20 nm 범위의 두께를 갖는, 상기 반도체 영역에 전기적으로 연결된 절연 영역; 및 상기 절연 영역이 집전체 영역과 반도체 영역 사이에 전기적으로 삽입되도록 하는 방식으로 상기 반도체 영역에 전기적으로 연결된 정류 영역을 포함하는 광기전력 장치에 관한 것이다.