发明名称 ELECTRIC FIELD ENHANCED SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY(STTM) DEVICE
摘要 <p>전계의 인가를 위한 필드 플레이트를 통합하여 전달 토크 유도된 자화 스위칭에 요구되는 임계 전류를 감소시키는 STTM(Spin Transfer Torque Memory) 디바이스들. 실시예들은 전류-유도된 자계 또는 스핀 전달 토크 뿐만 아니라 자기 다이폴 배향의 전계 유도된 조작을 활용하여, 자기 디바이스 엘리먼트에서의 상태들을 설정한다(예를 들어, 메모리 엘리먼트에 기입함). MTJ 전극과 필드 플레이트 사이의 전압 차분에 의해 발생되는 전계는, MTJ(Magnetic Tunneling Junction)의 자유 자성층에 전계를 인가하여, 자유 자성층의 적어도 일부에 대해 하나 이상의 자기 특성들을 변조한다.</p>
申请公布号 KR20150068428(A) 申请公布日期 2015.06.19
申请号 KR20157011726 申请日期 2013.06.24
申请人 INTEL CORP. 发明人 DOYLE BRIAN S.;KUO CHARLES C.;KENCKE DAVID L.;GOLIZADEH MOJARAD ROKSANA;SHAH UDAY
分类号 H01L43/02;G11C11/16;H01L43/12 主分类号 H01L43/02
代理机构 代理人
主权项
地址