发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
摘要 <p>Ein Verfahren umfasst einen Temperaturerhöhungsschritt zum Erhöhen einer Temperatur im Temperofen auf eine Temperatur innerhalb eines ersten Temperaturbereichs von einer Temperatur, die um 100°C niedriger ist als ein minimaler Schmelzpunkt, der ein niedrigster Schmelzpunkt unter Schmelzpunkten der jeweiligen Schichten der Mehrfachmetallschicht (14) ist, auf den minimalen Schmelzpunkt, einen Temperaturhalteschritt zum Halten der Temperatur innerhalb des ersten Temperaturbereichs, einen zweiten Temperaturerhöhungsschritt zum Erhöhen der Temperatur im Ofen auf eine Temperatur innerhalb eines zweiten Temperaturbereichs, die niedriger ist als ein maximaler Schmelzpunkt, der ein höchster Schmelzpunkt ist, und höher ist als der minimale Schmelzpunkt unter Schmelzpunkten der jeweiligen Schichten der Mehrfachmetallschicht, mit einer Temperaturerhöhungsgeschwindigkeit von 5°C/s bis 20°C/s und einen Temperschritt zum Halten der Temperatur innerhalb des zweiten Temperaturbereichs.</p>
申请公布号 DE102014221633(A1) 申请公布日期 2015.06.18
申请号 DE201410221633 申请日期 2014.10.24
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 发明人 HANAMAKI, YOSHIHIKO,
分类号 H01L29/45;H01L21/283 主分类号 H01L29/45
代理机构 代理人
主权项
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