发明名称 Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
摘要 <p>Substrat aus einem Siliciumnitrid-Sinterkörper, für eine Leiterplatte, das im Wesentlichen aus Siliciumnitrid-Körnern und Korngrenzen besteht, wobei der Sinterkörper eine Oberflächentextur mit einer durchschnittlichen Mittellinien-Oberflächenrauigkeit Ra von 0,2–5μm aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngrenzen auf der Oberfläche abgestrahlt sind, wobei der Flächenanteil der Siliciumnitrid-Körner 70% oder mehr des gesamten Flächenanteils der Siliciumnitrid-Körner und Korngrenzen beträgt, und der Abstand L zwischen dem höchsten Gipfel von auf einer Oberfläche freiliegenden Siliciumnitrid-Körnern und dem tiefsten Boden von Siliciumnitrid-Körnern oder Korngrenzen 1,5–15μm beträgt.</p>
申请公布号 DE10165107(B3) 申请公布日期 2015.06.18
申请号 DE2001165107 申请日期 2001.09.19
申请人 HITACHI METALS, LTD. 发明人 HAMAYOSHI, SHIGEYUKI;SOBUE, MASAHISA;IMAMURA, HISAYUKI;KAWATA, TSUNEHIRO
分类号 C04B35/584;C01B21/068;C04B35/593;H01L23/15;H01L23/373;H05K1/03 主分类号 C04B35/584
代理机构 代理人
主权项
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