| 摘要 |
Halbleitervorrichtung mit einem Isoliersubstrat (1), das ein daran ausgebildetes Schaltungsmuster hat, und einem Elektrodeneinfügungssockel, der senkrecht an dem Schaltungsmuster des Isoliersubstrats (1) vorgesehen ist, wobei der Sockel Folgendes aufweist: einen inneren Sockel (4), der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist; und einen äußeren Sockel (5), der aus einem Metallmaterial ausgebildet ist und an den inneren Sockel (4) derart gepasst ist, dass eine Innenumfangsfläche des äußeren Sockels (5) mit einer Außenumfangsfläche des inneren Sockels (4) in Kontakt ist, wenn der innere Sockel (4) und der äußere Sockel (5) aneinander gepasst sind, ist ein oberer Abschnitt des äußeren Sockels (5) höher angeordnet als ein oberer Abschnitt des inneren Sockels (4), und wenn die Halbleitervorrichtung bei einem Transfergießschritt verwendet wird, sind der äußere Sockel (5) und eine obere Metallgussform (8) ohne dazwischen liegenden Spalt bei einem Schließschritt in Kontakt; wobei die Halbleitervorrichtung des Weiteren einen Dichtungskunststoff (7) aufweist, der das Isoliersubstrat (1) und den Sockel abdichtet, wobei der Dichtungskunststoff (7) nicht im Inneren des äußeren Sockels (5) ist. |
