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Ein Leistungsversorgungssystem (2, 20) mit einem ein Hochfrequenzleistungssignal erzeugenden Leistungswandler (3, 30), der zur Versorgung eines Plasma- oder Gaslaserprozesses mit Leistung mit einer Last (6) verbindbar ist, wobei der Leistungswandler (3, 30) zumindest eine Verstärkerstufe (40) mit einem ersten und einem zweiten jeweils einen Verstärker (42a, 43a) aufweisenden Verstärkerpfad (42, 43) aufweist, wobei der erste Verstärkerpfad (42) an seinem Ausgang ein erstes Verstärkerpfadausgangssignal ausgibt und der zweite Verstärkerpfad (43) an seinem Ausgang ein zweites Verstärkerpfadausgangssignal ausgibt, das eine gegenüber dem ersten Verstärkerpfadausgangssignal verschobene Phase aufweist, die ungleich, insbesondere größer, 0° und ungleich, insbesondere kleiner, 180° ist, wobei die Verstärkerpfade (42, 43) mit einer phasenlagenschiebenden Kopplereinheit (47) verbunden sind, die die Ausgangssignale der Verstärkerpfade (42, 43) zu einem Hochfrequenzleistungssignal koppelt, ist dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Verstärker (43a, 43a) einen Feldeffekt-Transistor (60, T1, T2) aufweist, der in einem Halbleiterbaustein (61) realisiert ist, dessen Halbleiterstruktur überwiegend schichtweise aufgebaut ist, insbesondere in einem planaren Halbleiterbaustein realisiert ist, der einen Kanal (71) aufweist, wobei der Stromfluss im Kanal (71) überwiegend in laterale Richtung, d. h. im Wesentlichen parallel zu den Schichten der Halbleiterstruktur, erfolgt. |
