| 摘要 |
<p>반도체 디바이스(10)는 반도체 층(16) 위에 형성된다. 게이트 유전체 층(18)은 반도체 층 위에 형성된다. 게이트 재료 층(20)은 게이트 유전체 층 위에 형성된다. 게이트 재료 층은 패터닝되어 게이트 구조(20)를 형성한다. 게이트 구조를 마스크로서 사용하여, 반도체 층으로의 임플랜트(24)가 실행된다. 제1 패터닝된 게이트 구조(20)와, 반도체 층 제1 부분(28) 및 제2 부분(30)과 게이트를 둘러싸는 트렌치(42)를 반도체 층(16) 내에 형성하기 위해서, 게이트 구조(20) 및 반도체 층(16)을 통한 에칭이 실행된다. 트렌치(42)는 절연 재료(46)로 채워진다.</p> |
