| 摘要 |
Eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie umfasst mehrere optische Elemente (30, 30-1, 30-2, 30-3, 30-4, 30-5, 30-6, 30-7) zum Führen einer Belichtungsstrahlung (14) in einem Belichtungsstrahlengang (28). Mindestens eines der optischen Elemente umfasst eine optische Oberflächenstruktur (32), mindestens einen Aktuator (36) zum Manipulieren der Form der Oberflächenstruktur sowie ein Messsystem (50) zur Positionsvermessung mehrerer Messorte (40) der Oberflächenstruktur. Das Messsystem weist mindestens zwei separate Messstrahlungsquellen (56) sowie mehrere, jeweils von einer der Messstrahlungsquellen gespeiste Längeninterferometer (64) auf. |
