Halbleiterlaserdiode, Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung

摘要

Es wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten mit einer aktiven Schicht (11), die im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet wird, und eine Wärmebarrierenschicht (2) und eine metallische Kontaktschicht (5) lateral zueinander benachbart auf einer Hauptoberfläche (12) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufweist, wobei die Wärmebarrierenschicht (2) durch ein elektrisch isolierendes poröses Material (9) gebildet wird. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung angegeben.