发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
摘要 기판에 복수의 종류의 저항체를 구비한 반도체 장치의 제조 공정수를 종래보다도 저감할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 반도체 장치(1)는, 기판(10) 상에 형성한 제1 금속 배선층(11)과, 제1 금속 배선층(11) 상에 형성한 층간 절연막(12)과, 층간 절연막(12) 상에 형성한 제2 금속 배선층(23)과, 제1 금속 배선층(11)과 제2 금속 배선층(23) 사이에 형성한 제1 저항 금속막(14a), 제1 저항 금속막(14a) 상에 형성한 제1 절연막(15a) 및 제1 절연막(15a) 상에 형성한 제2 저항 금속막(16a)을 갖는 제1 저항체와, 제1 금속 배선층(11)과 제2 금속 배선층(23) 사이에 형성한 제1 저항 금속막(14b), 제1 저항 금속막(14b) 상에 형성한 제1 절연막(15b) 및 제1 절연막(15b) 상에 형성한 제2 저항 금속막(16b)을 갖는 제2 저항체를 구비하고 있다.
申请公布号 KR20150067765(A) 申请公布日期 2015.06.18
申请号 KR20157012842 申请日期 2014.03.19
申请人 ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION 发明人 NAGAKURA KOTARO
分类号 H01L21/768;H01L21/822;H01L27/04 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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